Realme GT 5 pasa Geekbench con Snapdragon 8 Gen 2

Realme GT 5

El próximo teléfono inteligente insignia de Realme se lanzará el 28 de agosto en China. Se espera que Realme GT 5 traiga la misma tecnología de carga extrema de 240 W que su predecesor. Sin embargo, se afirma que el dispositivo tiene un acabado de “vidrio milagroso” completamente nuevo en su parte posterior. Mientras esperamos el lanzamiento, Realme GT 5 apareció en el sitio web de Geekbench, ejecutando el Snapdragon 8 Gen 2 debajo del capó. Aquí están los detalles.

El próximo teléfono inteligente Realme GT 5, identificado por su número de modelo RMX3820, apareció recientemente en la base de datos Geekbench, revelando algunas especificaciones notables. El dispositivo, que funciona con el sistema operativo basado en Android 13, tiene la placa base de su chip con el nombre en código “Kalama”.




El chipset emplea una arquitectura 1+4+3. El núcleo principal funciona a 3,19 GHz, mientras que los núcleos de rendimiento mantienen una velocidad de reloj de 2,80 GHz y los núcleos base funcionan a 2,02 GHz. Es probable que este sea el chipset Qualcomm Snapdragon 8 Gen 2. Integra el chipset Adreno 740 y ofrece una variante con unos generosos 16 GB de RAM.

Realme ha comenzado a provocar el dispositivo en China. En un adelanto reciente, la compañía reveló que el GT 5 tendrá un acabado “Miracle Glass”. Si bien no sabemos exactamente qué implica esto, Realme afirmó anteriormente que el acabado es tan difícil de lograr que vuelve locos a los proveedores. Quizás nos espera algo interesante.

Se dice que Realme GT 5 tiene un panel OLED de 6,74 pulgadas con una resolución de 1,5K y una frecuencia de actualización de 144Hz. El teléfono podría ofrecerse en múltiples opciones de almacenamiento, desde 128 GB hasta 1 TB. El dispositivo podría venir en dos variantes de batería: 4.600 mAh con carga de 240 W y 5.200 mAh con carga de 150 W.




Acerca del autor

Daniel Gutiérrez

Periodista. Escribiendo desde el 2010 sobre tecnología y sobre todo tipo de gadgets.

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